- 実験装置と破壊したSi-Photo-Trの写真及び破壊時の波形
- 研究業績
- 谷山、升谷：「高気圧稀ガスのマイクロ波異常グローからアークへの転移条件と半導体のレーザー破壊について」放電研究 , No.60 (1974) p.58 - 67
シリコン系半導体にジャイアントパルスルビーレーザー光を照射し、熱破壊を行わせた時に発生する起電力を測定し、熱振動波形の観測とカスケード増倍による破壊機構の検討を行った。
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